Цоколевка транзистора BD778

|

Характеристики транзистора BD778

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD778 является транзистор BD777 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BD778 можно заменить на 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G