Цоколевка транзистора BDP949

|

Характеристики транзистора BDP949

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 3 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 475
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: SOT-223

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDP949 является транзистор BDP950 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDP949 можно заменить на BDP951, BDP953, BDP955