Цоколевка транзистора BDT63C

|

Характеристики транзистора BDT63C

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDT63C является транзистор BDT62C c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDT63C можно заменить на BDT65C, BDW43