Цоколевка транзистора BDT65C

|

Характеристики транзистора BDT65C

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDT65C является транзистор BDT64C c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDT65C можно заменить на BDW43