Цоколевка транзистора BDV64BG

|

Характеристики транзистора BDV64BG

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-247

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDV64BG является транзистор BDV65BG c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BDV64BG можно заменить на BDV64B, TIP147, TIP147G