Цоколевка транзистора BDV66C

|

Характеристики транзистора BDV66C

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -140 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -16 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-3P

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDV66C является транзистор BDV67C c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BDV66C можно заменить на BDV66D