Цоколевка транзистора BDV67A

|

Характеристики транзистора BDV67A

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 16 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-3P

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDV67A является транзистор BDV66A c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDV67A можно заменить на BDV67B, BDV67C, BDV67D