Цоколевка транзистора BDW51

|

Характеристики транзистора BDW51

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDW51 является транзистор BDW52 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDW51 можно заменить на 2N6471, 2N6472, 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, MJ12022