Цоколевка транзистора BDX33CG

|

Характеристики транзистора BDX33CG

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDX33CG является транзистор BDX34CG c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDX33CG можно заменить на BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33D, MJF6388, MJF6388G, TIP142T