Цоколевка транзистора BDX33D

|

Характеристики транзистора BDX33D

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDX33D является транзистор BDX34D c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDX33D можно заменить на BDT63C, BDT65C, BDW43