Цоколевка транзистора BDX53D

|

Характеристики транзистора BDX53D

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 500
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDX53D является транзистор BDX54D c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDX53D можно заменить на 2N6533, BD651, BDT63C, BDT65C, BDW43, BDW73D, BDX33D, BDX53E, BDX53F