Цоколевка транзистора BDX63B

|

Характеристики транзистора BDX63B

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 7 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDX63B является транзистор BDX62B c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDX63B можно заменить на BDX63C, BDX65C, BDX67C, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G