Цоколевка транзистора BDX66B

|

Характеристики транзистора BDX66B

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -16 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDX66B является транзистор BDX67B c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BDX66B можно заменить на BDX66C, BDX68B, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033, MJ11033G, MJ4032