Цоколевка транзистора BSP52T1G

|

Характеристики транзистора BSP52T1G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 90 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: SOT-223

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BSP52T1G является транзистор BSP62T1G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BSP52T1G можно заменить на BSP52, BSP52T1, BSP52T3, BSP52T3G