Цоколевка транзистора BSP62T1G

|

Характеристики транзистора BSP62T1G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -90 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Корпус: SOT-223

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BSP62T1G является транзистор BSP52T1G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BSP62T1G можно заменить на BSP62, BSP62T1, BSP62T3, BSP62T3G