Цоколевка транзистора FJP5200O

|

Характеристики транзистора FJP5200O

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 250 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 250 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 17 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 160
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии FJP5200 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор FJP5200R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 55 до 100, FJP5200O — в диапазоне от 80 до 160.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для FJP5200O является транзистор FJP1943O c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор FJP5200O можно заменить на FJPF5200, FJPF5200O