Цоколевка транзистора FZT692B

|

Характеристики транзистора FZT692B

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 70 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 70 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.2 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
• Корпус: SOT-223