Цоколевка транзистора HSB1109

|

Характеристики транзистора HSB1109

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии HSB1109 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор HSB1109-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, HSB1109-C — в диапазоне от 100 до 200, HSB1109-D — в диапазоне от 160 до 320.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для HSB1109 является транзистор HSD1609 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор HSB1109 можно заменить на 2SA1220A, 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SB1109, 2SB1110, KSA1220A, KSA1381