Цоколевка транзистора HSB1109S-D

|

Характеристики транзистора HSB1109S-D

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии HSB1109S делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор HSB1109S-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, HSB1109S-C — в диапазоне от 100 до 200, HSB1109S-D — в диапазоне от 160 до 320.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для HSB1109S-D является транзистор HSD1609S-D c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор HSB1109S-D можно заменить на 2SA1275, 2SA1275-Y, 2SA1319, 2SA1370, 2SA1370-F, 2SA1371, 2SA1371-F, 2SA1376, 2SA1376A, 2SA1624, 2SA1624-F, 2SA1972, KSA1013, KSA1013Y, KTA1275, KTA1275Y, KTA1279