Цоколевка транзистора KSB1116-L
|
Характеристики транзистора KSB1116-L
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 300 до 600
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFE
Транзисторы серии KSB1116 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB1116-Y имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, KSB1116-G — в диапазоне от 200 до 400, KSB1116-L — в диапазоне от 300 до 600.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для KSB1116-L является транзистор KSD1616-L c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор KSB1116-L можно заменить на 2SB1116, 2SB1116-U, 2SB1116A-U, 2SB1116U, KSB1116S, KSB1116S-L