Цоколевка транзистора KSB772-G

|

Характеристики транзистора KSB772-G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSB772 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB772-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, KSB772-O — в диапазоне от 100 до 200, KSB772-Y — в диапазоне от 160 до 320, KSB772-G — в диапазоне от 200 до 400.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KSB772-G является транзистор KSD882-G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор KSB772-G можно заменить на 2SB772, 2SB772E, 2SB772GR, 2SB986, 2SB986-T, BD132, BD186, BD188, BD190, KSH772, KSH772-G, KTB772, KTB772-GR, MJE232, MJE235, MJE252, MJE254