Цоколевка транзистора KSB772-R

|

Характеристики транзистора KSB772-R

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSB772 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB772-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, KSB772-O — в диапазоне от 100 до 200, KSB772-Y — в диапазоне от 160 до 320, KSB772-G — в диапазоне от 200 до 400.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KSB772-R является транзистор KSD882-R c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор KSB772-R можно заменить на 2N4918, 2N4918G, 2N4919, 2N4919G, 2N4920, 2N4920G, 2SB743, 2SB743-R, 2SB744, 2SB744-R, 2SB744A, 2SB744A-R, 2SB772, 2SB772R, BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD186, BD188, BD190, BD438, BD438G, BD440, BD440G, BD442, BD442G, BD786, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSB744, KSB744-R, KSB744A, KSB744A-R, KSE170, KSE171, KSE172, KSH772, KSH772-R, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE230, MJE231, MJE232, MJE233, MJE234, MJE235, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G, MJE254