Цоколевка транзистора KSB795-R

|

Характеристики транзистора KSB795-R

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -8 V
• Ток коллектора, не более: -1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 2000 до 5000
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSB795 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB795-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 2000 до 5000, KSB795-O — в диапазоне от 4000 до 10000, KSB795-Y — в диапазоне от 8000 до 30000.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KSB795-R является транзистор KSB986-R c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор KSB795-R можно заменить на 2N6036, 2N6036G, 2SB1149, 2SB1149-M, 2SB795, 2SB795-M, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB1149, KSB1149-O, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G, MJE712