Цоколевка транзистора KSB985-O

|

Характеристики транзистора KSB985-O

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 150 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V
• Ток коллектора, не более: 1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 4000 до 10000
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSB985 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB985-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 2000 до 5000, KSB985-O — в диапазоне от 4000 до 10000, KSB985-Y — в диапазоне от 8000 до 30000.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KSB985-O является транзистор KSB794-O c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор KSB985-O можно заменить на 2SD1692, 2SD1692-L, 2SD985, 2SD985-L, 2SD986, 2SD986-L, KSB986, KSB986-O, KSD1692, KSD1692-Y