Транзистор KSC5026M-O

Цоколевка транзистора KSC5026M-O

|Цоколевка транзистора KSC5026M-O (маркируется как C5026M-O)

Характеристики транзистора KSC5026M-O

  • Структура — n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 1100 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
  • Ток коллектора, не более: 1.5 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 40
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
  • Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSC5026M делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSC5026M-N имеет коэффициент усиления в диапазоне от 10 до 20, KSC5026M-R — в диапазоне от 15 до 30, KSC5026M-O — в диапазоне от 20 до 40.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора KSC5026M-O часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «C5026M-O«.