Цоколевка транзистора KSD1616-G

|

Характеристики транзистора KSD1616-G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 160 МГц
• Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSD1616 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSD1616-Y имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, KSD1616-G — в диапазоне от 200 до 400, KSD1616-L — в диапазоне от 300 до 600.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KSD1616-G является транзистор KSB1116-G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор KSD1616-G можно заменить на 2SC4408, 2SC4604, 2SC6043, 2SD1207, 2SD1207-T, 2SD1347, 2SD1347T, 2SD1616, 2SD1616-K, 2SD1616A, 2SD1616A-K, 2SD1616AK, 2SD1616K, 2SD789, KSD1616A, KSD1616A-G