Цоколевка транзистора KSD1616-L

|

Характеристики транзистора KSD1616-L

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 300 до 600
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 160 МГц
• Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSD1616 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSD1616-Y имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, KSD1616-G — в диапазоне от 200 до 400, KSD1616-L — в диапазоне от 300 до 600.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KSD1616-L является транзистор KSB1116-L c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор KSD1616-L можно заменить на 2SD1616, 2SD1616-U, 2SD1616A-U, 2SD1616U, 2SD789