Цоколевка транзистора KSD1616-Y
|
Характеристики транзистора KSD1616-Y
- Структура — n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 135 до 270
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 160 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFE
Транзисторы серии KSD1616 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSD1616-Y имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, KSD1616-G — в диапазоне от 200 до 400, KSD1616-L — в диапазоне от 300 до 600.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для KSD1616-Y является транзистор KSB1116-Y c p-n-p структурой.
Аналоги
Транзистор KSD1616-Y можно заменить на 2SC1384, 2SC2383, 2SC3228, 2SC3243, 2SC3940A, 2SC4408, 2SC4604, 2SD1207, 2SD1347, 2SD1616, 2SD1616-L, 2SD1616A, 2SD1616A-L, 2SD1616AL, 2SD1616L, 2SD667, 2SD789, 2SD863, KSC2383, KSD1616A, KSD1616A-Y, KTC1008, KTC3228, KTD863