Цоколевка транзистора KSD1691-G

|

Характеристики транзистора KSD1691-G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSD1691 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSD1691-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, KSD1691-Y — в диапазоне от 160 до 320, KSD1691-G — в диапазоне от 200 до 400.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KSD1691-G является транзистор KSB1151-G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор KSD1691-G можно заменить на 2SD1691, 2SD1691-K, KTD1691, KTD1691-Y