Цоколевка транзистора KTB778

|

Характеристики транзистора KTB778

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 55 до 160
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии KTB778 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KTB778-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 55 до 110, KTB778-O — в диапазоне от 80 до 160.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для KTB778 является транзистор KTD998 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор KTB778 можно заменить на 2SA1106, 2SA1146, 2SA1186, 2SA1265, 2SA1265-O, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1491, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1695, 2SA1805, 2SA1941, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SB778, 2SB863, FJA4210, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB688, KTB688B, NTE2329