Цоколевка транзистора MG6330-R

|

Характеристики транзистора MG6330-R

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 260 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 260 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 140
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц
• Корпус: TO-3P

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MG6330-R является транзистор MG9410-R c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MG6330-R можно заменить на 2SC3320, 2SC6145A, 2SC6145A-Y, 2SD1313, MG6331-R