Цоколевка транзистора MG6331-R

|

Характеристики транзистора MG6331-R

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 260 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 260 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 18 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 140
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц
• Корпус: TO-3P

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MG6331-R является транзистор MG9411-R c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MG6331-R можно заменить на 2SD1313