Цоколевка транзистора MJ11015G

|

Характеристики транзистора MJ11015G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -30 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJ11015G является транзистор MJ11016G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор MJ11015G можно заменить на MJ11015, MJ11033, MJ11033G