Цоколевка транзистора MJ11030G

|

Характеристики транзистора MJ11030G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 90 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 90 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 50 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 18000
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJ11030G является транзистор MJ11031G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MJ11030G можно заменить на MJ11030, MJ11032, MJ11032G