Цоколевка транзистора MJ11032

|

Характеристики транзистора MJ11032

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 50 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 18000
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJ11032 является транзистор MJ11033 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MJ11032 можно заменить на MJ11032G