Цоколевка транзистора MJ12002

|

Характеристики транзистора MJ12002

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 750 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 1500 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 2.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 11
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Аналоги

Транзистор MJ12002 можно заменить на MJ12004, MJ12005