Цоколевка транзистора MJ12005

|

Характеристики транзистора MJ12005

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 750 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 1500 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 12
• Корпус: TO-3