Цоколевка транзистора MJ21196G

|

Характеристики транзистора MJ21196G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 250 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 400 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 16 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 250 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 25 до 75
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJ21196G является транзистор MJ21195 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MJ21196G можно заменить на MJ21194, MJ21194G, MJ21196