Цоколевка транзистора MJD127
|
Характеристики транзистора MJD127
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 12000
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
- Корпус: TO-252
Комплементарная пара
Комплементарной парой для MJD127 является транзистор MJD122 c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор MJD127 можно заменить на MJD127G, MJD127T4, MJD127T4G