Цоколевка транзистора MJD127G

|

Характеристики транзистора MJD127G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 12000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-252

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJD127G является транзистор MJD122G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор MJD127G можно заменить на MJD127, MJD127T4, MJD127T4G