Цоколевка транзистора MJD200G

|

Характеристики транзистора MJD200G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V
• Ток коллектора, не более: 5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 45 до 180
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 65 МГц
• Корпус: TO-252

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJD200G является транзистор MJD210G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MJD200G можно заменить на MJD200