Цоколевка транзистора MJD2955G

|

Характеристики транзистора MJD2955G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -70 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
• Корпус: TO-252

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJD2955G является транзистор MJD3055G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор MJD2955G можно заменить на MJD2955, MJD2955T4, MJD2955T4G