Цоколевка транзистора MJD47T4G

|

Характеристики транзистора MJD47T4G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 250 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 350 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-252

Аналоги

Транзистор MJD47T4G можно заменить на MJD47, MJD47G, MJD47T4, MJD50, MJD50G, MJD50T4, MJD50T4G