Цоколевка транзистора MJE13003B

|

Характеристики транзистора MJE13003B

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 700 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 до 30
• Корпус: TO-92