Цоколевка транзистора MJE170G

|

Характеристики транзистора MJE170G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-126

Аналоги

Транзистор MJE170G можно заменить на BD132, BD178, BD180, BD180G, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSE170, KSE171, KSE172, MJE170, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE232, MJE235, MJE252, MJE254