Цоколевка транзистора MJE253G

|

Характеристики транзистора MJE253G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 180
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
• Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJE253G является транзистор MJE243G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор MJE253G можно заменить на BD792, MJE253, MJE254