Цоколевка транзистора MMBT100

|

Характеристики транзистора MMBT100

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 75 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 450
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц
• Корпус: SOT-23

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MMBT100 является транзистор MMBT200 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MMBT100 можно заменить на BCW66, FMMT624, FMMT625, FMMTA06, KST06, KST42, KST43, MMBTA06, MMBTA42, PBHV8115T, PBHV8540T, PMBTA06