Цоколевка транзистора MMBT200

|

Характеристики транзистора MMBT200

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -75 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 450
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц
• Корпус: SOT-23

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MMBT200 является транзистор MMBT100 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор MMBT200 можно заменить на FMMTA56, KST56, KST92, KST93, MMBTA56, MMBTA92, PBHV9115T, PMBTA56