Цоколевка транзистора MPSW51G

|

Характеристики транзистора MPSW51G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-92

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MPSW51G является транзистор MPSW01G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор MPSW51G можно заменить на BC527-10, BC527-16, BC527-25, BC528-10, BC528-16, BC528-25, MPS4355, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, ZTX550, ZTX790A, ZTX792A, ZTX949, ZTX951, ZTX953, ZTX955