Цоколевка транзистора PN200

|

Характеристики транзистора PN200

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -75 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 450
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц
• Корпус: TO-92

Комплементарная пара

Комплементарной парой для PN200 является транзистор PN100 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор PN200 можно заменить на KSP56, KSP92, KSP93, MPS751, MPS751G, MPSA56, MPSA56G, MPSA92, MPSA93, MPSW56, MPSW56G, MPSW92, MPSW92G